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三星电子发布HBM4技术突破，能效提升30%加速AI存储布局

三星电子宣布基于1b DRAM工艺完成HBM4内存开发，能效较HBM3E提升30%，预计2027年量产。此举巩固其在高带宽存储领域的竞争力，满足AI大模型训练需求。分析师预计HBM市场2027年将达300亿美元，三星与SK海力士、美光竞争加剧。