2026年7月28日，亚洲存储芯片巨头在美交易存托凭证（ADR）走势出现明显分化。SK海力士（HXSCL）延续强势，盘中一度突破210美元，创下上市以来新高；而三星电子（SSNLF）则持续震荡，收盘微跌0.3%，年内涨幅不足5%。这一分化背后，是两家公司在人工智能（AI）高端存储布局、传统产品周期以及资本开支策略上的根本差异。
SK海力士：HBM3E放量驱动业绩超预期
SK海力士近期公布的2026年第二季度财报显示，营收同比增长72%至22.8万亿韩元，净利润达5.6万亿韩元，双双超越市场预期。其中，高带宽内存（HBM）业务收入占比首度突破40%，成为最大增长引擎。公司自2025年底量产的第五代HBM3E产品，已向英伟达、AMD等客户大批量交付，单季出货量环比增长超100%。
据行业研究机构TrendForce数据，2026年全球HBM市场规模预计将突破350亿美元，SK海力士以超过55%的份额稳居首位。分析师指出，随着AI训练与推理需求持续扩张，HBM的供需缺口在2026年下半年仍难以缓解，SK海力士有望进一步提升定价权。
在资本开支方面，SK海力士已宣布将2026年全年资本支出上调至18万亿韩元，重点用于扩建利川和清州工厂的HBM产能，并加速1c纳米DRAM工艺转换。公司高管在业绩说明会上表示，预计2026年HBM出货量将同比增长150%以上，2027年仍将保持高速增长。
三星电子：传统存储疲软，代工业务拖累整体估值
与SK海力士的亮眼表现不同，三星电子ADR近期走势乏力。尽管公司第二季度整体营收微增3%至78万亿韩元，但存储业务利润同比下降12%，主要因传统DRAM和NAND Flash价格在2026年第二季度出现约5%～8%的环比下滑。受PC和智能手机终端需求疲软影响，通用型DRAM现货价一度跌破成本线，迫使三星控制出货量。
更令投资者担忧的是三星的代工业务。尽管三星在3nm GAA工艺上取得进展，但受制于先进制程良率偏低及客户订单不足，代工部门第二季度亏损扩大至1.2万亿韩元。Counterpoint Research指出，三星需在2027年前将3nm良率提升至70%以上，否则可能进一步落后于台积电。
资金流动数据亦反映分化：过去一个月，SK海力士ADR获得约4.8亿美元净流入，而三星ADR则遭遇1.2亿美元净流出。多家华尔街机构近期上调SK海力士目标价，同时对三星维持“中性”评级，认为其估值隐含的存储+代工复合溢价过高。
行业周期解读：HBM驱动结构性增长，传统存储等待复苏拐点
存储芯片行业正处于罕见的结构性分化期。HBM等AI相关存储属于增量市场，受益于数据中心的持续资本开支持续扩张；而传统DRAM/NAND则受制于消费电子换机周期延长，库存消化进度慢于预期。美光科技（MU）上周公布的季度财报同样显示，其HBM收入环比增长60%，但传统SSD业务收入下滑7%，印证了这一趋势。
对于投资者而言，亚洲存储芯片美股的配置需更注重品种选择。SK海力士凭借在HBM领域的先发优势和产能弹性，短期盈利确定性更高；三星电子则需观察其三季度新款旗舰机能否带动消费电子需求回暖，以及代工业务是否出现关键客户突破。
展望下半年，市场普遍预期DRAM价格将在第三季度末企稳，因原厂减产效果逐步显现，且AI服务器对DDR5的需求开始渗透至传统服务器领域。若旺季需求符合预期，三星等传统存储巨头有望迎来估值修复机会。
截至7月28日收盘，iShares PHLX半导体指数（SOXX）微涨0.2%，存储芯片板块整体估值处于历史中位数偏上水平。跨境投资者可重点关注各家公司8月即将披露的下季度指引，以判断AI订单的可持续性与传统业务触底信号。
