深入分析存储芯片行业库存周期,预测DRAM和NAND价格走势,辅助投资决策。
2026年7月,NAND闪存合约价格结束连续两季下跌,首次出现环比上涨,AI服务器对高容量企业级SSD的需求成为核心驱动力。本文深度解析价格反弹背后的供需逻辑、原厂减产效应以及三星电子、SK海力士、美光科技等存储巨头的美股ADR走势,探讨存储芯片板块的新一轮投资机遇。
2026年7月29日,全球存储芯片市场出现微妙变化:HBM库存调整信号浮现,三星电子ADR与SK海力士ADR股价走势分化,DRAMeXchange价格指数显示传统DRAM需求疲软。本文深入解读这一信号背后的供需逻辑、AI存储需求韧性及跨境投资策略调整。