跟踪 SK海力士美股 ADR 价格变动，关注其在 HBM 和 DRAM 领域领先优势。
2026年8月6日，SK海力士在其Q2业绩说明会上大幅上调了NAND闪存业务的下半年展望，AI服务器对高容量企业级SSD的备货需求已从HBM溢出至NAND领域。消息刺激SK海力士美股ADR夜盘一度涨超6%，带动三星电子美股ADR及整个亚洲存储芯片板块走强。分析师认为，这标志着存储周期正从“HBM独舞”转向“全品类共振”。
集邦咨询最新报告显示，2026年Q3 DRAM合约价预计环比上涨8%至13%，AI服务器需求与HBM产能挤兑双重驱动下，存储周期反转信号明确。三星电子、SK海力士美股ADR应声走强，板块迎来配置窗口。
SK海力士宣布其HBM4产品正式通过英伟达下一代Blackwell架构GPU认证，预计2026年第四季度启动大规模量产。受此消息刺激，SK海力士美股ADR在夜盘交易中直线拉涨超7%。分析师指出，这一认证标志着AI存储需求正从HBM3E向HBM4快速切换，订单能见度已延伸至2027年上半年，进一步巩固了SK海力士在高端AI存储领域的霸主地位。
2026年7月28日，ASML在马来西亚槟城设立的区域技术中心正式启用，标志着亚太半导体设备材料供应链向东南亚深度延伸。该中心将提供光刻设备维护、培训及工艺支持，服务东南亚晶圆厂集群。本文解读ASML此举对区域设备材料生态的催化作用，以及中国台湾、日本、韩国供应商的应对策略。
